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日本ZA57630高精度阻抗分析儀介紹：

ZA57630可以滿(mǎn)足電子元件與材料分析：電池、SMD電感、一體成型電感、電感線(xiàn)圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變?nèi)荻O管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導(dǎo)率、介電常數(shù)、生物醫(yī)學(xué)技術(shù)分析、CV測(cè)量：半導(dǎo)體、功率MOSFET、NFC/EMI/無(wú)線(xiàn)充電、bead、physics patches等。ZA57630可以滿(mǎn)足電子元件與材料分析：電池、SMD電感、一體成型電感、電感線(xiàn)圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變?nèi)荻O管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導(dǎo)率、介電常數(shù)、生物醫(yī)學(xué)技術(shù)分析、CV測(cè)量：半導(dǎo)體、功率MOSFET、NFC/EMI/無(wú)線(xiàn)充電、bead、physics patches等。

基本精度

頻率范圍

阻抗范圍

測(cè)量 AC 信號(hào)級(jí)別

DC 偏置

測(cè)量時(shí)間

測(cè)量參數(shù)

±0.08%

10 µHz～36 MHz

10 µΩ～100 GΩ (模式: IMPD-EXT)

0.01 mVrms～3 Vrms
0.1 µArms～60 mArms

?5 V ～ +5 V/?40 V ～ +40 V (1 kHz以上)
100 mA ～ +100 mA

0.5 ms/point

Z, R, X, Y, G, B, Ls, Lp, Cs, Cp, Rs, Rp, θz, θy, D, Dε, Dµ,
Q, V, I, εs, εs’, εs",µs, µs’, µs", FREQUENCY

快速測(cè)量  業(yè)界.5 ms/point

實(shí)現(xiàn)了業(yè)界的0.5ms/point。
縮短生產(chǎn)線(xiàn)的節(jié)拍時(shí)間，提高測(cè)量作業(yè)的效率。
此外，通過(guò)增加設(shè)定的測(cè)量時(shí)間，使測(cè)量結(jié)果平均化，減輕噪聲的影響?？梢曅枰x擇合適的測(cè)量時(shí)間。

4種測(cè)量模式  應(yīng)對(duì)廣泛的DUT

IMPD-3T
  標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式

本模式可以在廣泛的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行高精度測(cè)量。可使用測(cè)試線(xiàn)及測(cè)試夾具，應(yīng)對(duì)各種形狀的試樣。

IMPD-2T
  高頻測(cè)量模式

本模式可以在 10MHz 以上的高頻下進(jìn)行穩(wěn)定的測(cè)量。使用 N 型連接器進(jìn)行 2 端子測(cè)量，即便配線(xiàn)長(zhǎng)，也可以進(jìn)行穩(wěn)定的測(cè)量。

IMPD-EXT
 外部擴(kuò)展測(cè)量模式

本模式為外部連接放大器或分流電阻等物進(jìn)行測(cè)量。
可以通過(guò)施加高壓信號(hào)或檢測(cè)微小電壓 / 電流進(jìn)行單獨(dú)使用本儀器無(wú)法應(yīng)對(duì)的測(cè)量。

G-PH
  增益/相位測(cè)量模式

本模式可以測(cè)量濾波器、放大器等的傳輸特性。向被測(cè)電路施加掃描信號(hào)，高精度地測(cè)量其頻率響應(yīng)（增益、相位）。

正面面板測(cè)量端子

特點(diǎn)

結(jié)合用途配備豐富的功能！
以適合DUT特性的設(shè)定，支持高重現(xiàn)性且準(zhǔn)確的測(cè)量。
準(zhǔn)確的評(píng)價(jià)基于實(shí)際使用的操作條件。

電子零件、電子材料可能因測(cè)量頻率及施加的信號(hào)級(jí)別而表現(xiàn)出不同的特性。電容器和電感器存在因寄生成分引發(fā)的頻率依賴(lài)性，二極管等半導(dǎo)體器件由于 DC 偏置疊加而產(chǎn)生特性變化。
要評(píng)價(jià)真實(shí)的特性，重要的是頻率、AC 振幅和 DC 偏置的掃頻，在實(shí)際的操作條件下進(jìn)行測(cè)量。

特點(diǎn)

• ● 掃頻

• ● 延遲功能

• ● 標(biāo)記操作

• ● 測(cè)量條件等的設(shè)定

• ● 自動(dòng)高密度掃頻

• ● 順序測(cè)量

• ● 量程

• ● 誤差校正

• ● 圖表顯示

豐富的功能

• ● 共振點(diǎn)跟蹤測(cè)量

• ● 相對(duì)介電常數(shù)測(cè)量

• ● 外部基準(zhǔn)時(shí)鐘

• ● 等效電路估算

• ● 相對(duì)導(dǎo)磁率測(cè)量

• ● 存儲(chǔ)器操作

• ● 壓電常數(shù)計(jì)算

• ● 比較器 / 處理器接口

掃頻   頻率、AC 振幅、DC 偏置、零頻寬

AC 振幅掃描

掃頻

DC 偏置掃頻

零頻寬

不變更頻率、AC 振幅和 DC 偏置的參數(shù)，按恒定的條件進(jìn)行測(cè)量，觀(guān)察不同時(shí)間的特性變化（橫軸：時(shí)間）

● 也能應(yīng)對(duì)點(diǎn)測(cè)

按恒定的頻率 /AC 振幅 /DC偏置進(jìn)行測(cè)量，以數(shù)值顯示測(cè)量結(jié)果。多可以設(shè)定 6 個(gè)項(xiàng)目。
與比較器功能組合，可以進(jìn)行篩選及判定是否合格。

生產(chǎn)線(xiàn)內(nèi)的測(cè)量

測(cè)量條件等的設(shè)定

在 1 個(gè)界面內(nèi)直觀(guān)地進(jìn)行詳細(xì)設(shè)定

設(shè)定項(xiàng)目（SETTING VIEW）

設(shè)定圖表軸

設(shè)定頻率

量程

自動(dòng)量程

監(jiān)視測(cè)量結(jié)果，同時(shí)自動(dòng)設(shè)定合適的量程進(jìn)行測(cè)量。
檢測(cè)到超過(guò)量程的外部噪聲或直流分量時(shí)，重新設(shè)定為更大的量程并重新測(cè)量。測(cè)量數(shù)據(jù)的變化大時(shí)啟用。

固定量程

量程固定，因此不會(huì)產(chǎn)生因量程變化引發(fā)的測(cè)量值不連續(xù)（段差）。

延遲功能

如果在掃描過(guò)程中變更了頻率、AC 振幅等掃描參數(shù)，則瞬態(tài)響應(yīng)將導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果出現(xiàn)誤差。參數(shù)變更后，可以延遲開(kāi)始測(cè)量的時(shí)間。延遲包括“延遲開(kāi)始測(cè)量"和“延遲測(cè)量"，前者在開(kāi)始測(cè)量時(shí)延遲，后者在掃描過(guò)程中每次變更參數(shù)時(shí)延遲。

自動(dòng)高密度掃頻

在掃頻測(cè)量中，本功能限定在測(cè)量數(shù)據(jù)突變的區(qū)間自動(dòng)提高頻率密度進(jìn)行測(cè)量。
在壓電振蕩器、晶體振蕩器等的共振特性測(cè)量中，本功能在相位急劇變化的共振附近的測(cè)量中啟用。

誤差校正

為進(jìn)行準(zhǔn)確的評(píng)價(jià)，需根據(jù)測(cè)量誤差因子進(jìn)行校正。

為進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)量，需適當(dāng)校正殘余阻抗、電纜長(zhǎng)度等各種測(cè)量誤差因子。

開(kāi)路校正

減少因殘余導(dǎo)納引起的誤差

短路校正

減少因殘余阻抗引起的誤差

負(fù)載校正

以具有已知值的試樣作為標(biāo)準(zhǔn)阻抗，校正與真值的偏差

端口延長(zhǎng)

使用長(zhǎng)電纜時(shí)，校正因傳輸延遲時(shí)間而產(chǎn)生的相位誤差

電位梯度消除

消除測(cè)量信號(hào)所含的電位波動(dòng)波形的影響。在由于電池等的充放電會(huì)引起電位變化的試樣的測(cè)量中啟用

補(bǔ)償

預(yù)先測(cè)量連接到外部的傳感器、電纜等測(cè)量系統(tǒng)的頻率特性，校正測(cè)量系統(tǒng)的誤差成分

輸入加權(quán)碼

校正探頭的衰減量及前置放大器的增益

自行校準(zhǔn)

校正自身誤差

標(biāo)記操作

本功能用于讀取所顯示的圖表中 X、Y1、Y2 的測(cè)量值。
多可使用 8 個(gè)標(biāo)記。

Δ標(biāo)記　顯示與基準(zhǔn)標(biāo)記（標(biāo)記 1）的差異

ΔTRKG 標(biāo)記

與Δ標(biāo)記同樣顯示差異，移動(dòng)到標(biāo)記 1 時(shí)，保持恒定的掃描值差異，同時(shí)進(jìn)行移動(dòng)

標(biāo)記搜索功能

可自動(dòng)搜索與設(shè)定條件一致的點(diǎn)

順序測(cè)量

本功能預(yù)先設(shè)定多項(xiàng)所需的測(cè)量條件，按照該條件依次進(jìn)行測(cè)量。多可將掃描范圍分割成 32 部分，各范圍內(nèi)按照不同的測(cè)量條件進(jìn)行測(cè)量。
可高效地測(cè)量因電壓值而使特性發(fā)生變化的多層陶瓷電容器（MLCC）、電感器及變壓器等器件。

圖表顯示

SINGLE 顯示 /SPLIT 顯示

可選擇在 1 個(gè)畫(huà)面內(nèi)顯示 1 個(gè)圖表的“SINGLE"和上下顯示 2 個(gè)圖表的“SPLIT"

相位顯示操作

±180°、0°～＋360°、－360°～0°、UNWRAP（連續(xù)顯示）、 360°移位、孔徑（群延遲特性）

跡線(xiàn)操作

可改寫(xiě)測(cè)量數(shù)據(jù)跡線(xiàn)（MEAS）和多 8 條參照數(shù)據(jù)跡線(xiàn)（REF）

自動(dòng)存儲(chǔ)

本功能在掃描測(cè)量結(jié)束后自動(dòng)將 MEAS 跡線(xiàn)復(fù)制到 REF 跡線(xiàn)中。在隨時(shí)間而變化的特性觀(guān)測(cè)中啟用。

● SPLIT 顯示

● 自動(dòng)存儲(chǔ)

共振點(diǎn)跟蹤測(cè)量

本功能在測(cè)量具有共振的試樣時(shí)，使測(cè)量頻率自動(dòng)跟蹤試樣的共振頻率。 即使試樣具有振幅依賴(lài)性或共振頻率隨時(shí)間變化而波動(dòng)，也可以始終進(jìn)行與共振頻率一致的測(cè)量。本功能便于在壓電元件的共振點(diǎn)附近進(jìn)行連續(xù)測(cè)量。

共振頻率變化（1.6 kHz→1.5858 kHz）、自動(dòng)跟蹤

等效電路估算

本功能將掃頻測(cè)量獲得的阻抗特性應(yīng)用于等效電路模型，從而求出LCR 元件的值（電感值、電容值、電阻值）。準(zhǔn)備有以下 6 種模型。等效電路估算結(jié)果可以用 CSV 格式保存。

等效電路模型

壓電常數(shù)計(jì)算

本功能測(cè)量壓電陶瓷的頻率 - 阻抗特性，并計(jì)算機(jī)電耦合系數(shù)和壓電常數(shù)等。

按照 JEITA 標(biāo)準(zhǔn)《EM-4501A　壓電陶瓷振蕩器的電氣試驗(yàn)方法》規(guī)定的方法計(jì)算參數(shù)。

測(cè)量結(jié)果顯示

常數(shù)計(jì)算畫(huà)面

相對(duì)介電常數(shù)測(cè)量

可以預(yù)先設(shè)定試樣尺寸等信息，將阻抗測(cè)量結(jié)果（Cp，Rp）換算為復(fù)相對(duì)介電常數(shù)進(jìn)行顯示。

● 相對(duì)介電常數(shù) εs

● 相對(duì)介電常數(shù)實(shí)部 εs’

● 相對(duì)介電常數(shù)虛部 εs"

● 損耗率 Dε

εs’?εs"

εs?Dε

相對(duì)導(dǎo)磁率測(cè)量

可以預(yù)先設(shè)定試樣尺寸等信息，將阻抗測(cè)量結(jié)果（Ls, Rs）換算為復(fù)相對(duì)導(dǎo)磁率進(jìn)行顯示。

● 相對(duì)導(dǎo)磁率µs

● 相對(duì)導(dǎo)磁率實(shí)部 µs’

● 相對(duì)導(dǎo)磁率虛部 µs"

● 損耗率 Dµ

µs’?µs"

µs?Dµ

比較器 / 處理器接口  用于生產(chǎn)線(xiàn)!

測(cè)量速度 快 0.5 ms/point，縮短了節(jié)拍時(shí)間，
并進(jìn)一步完善了零件篩選功能!!

比較器功能針對(duì)測(cè)量結(jié)果預(yù)先設(shè)定判定范圍，為篩選試樣而進(jìn)行分類(lèi)以及判定是否合格。

比較器設(shè)定畫(huà)面

分類(lèi)判定

本功能多可將判定結(jié)果分為14類(lèi)。判定結(jié)果

極限判定

本功能在已設(shè)定的范圍內(nèi)判定測(cè)量結(jié)果是否合格。

區(qū)域判定

本功能通過(guò)X軸(掃描參數(shù))和Y1/Y2軸(測(cè)量結(jié)果)的2個(gè)維度判定掃描測(cè)量結(jié)果是否合格。

處理器接口

可以將比較器的判定結(jié)果輸出到背面面板上配備的處理器接口連接器。通過(guò)連接零件處理器，可以構(gòu)建零件的自動(dòng)判別系統(tǒng)。

外部基準(zhǔn)時(shí)鐘

外部的 10MHz 時(shí)鐘信號(hào)可以用作基準(zhǔn)時(shí)鐘。
通過(guò)使用精度高于內(nèi)部基準(zhǔn)時(shí)鐘的基準(zhǔn)時(shí)鐘，可以提高測(cè)量頻率的精度和穩(wěn)定性。
此外，通過(guò)采用與其他儀器通用的基準(zhǔn)時(shí)鐘，可以共享頻率精度。

配備于背面面板

存儲(chǔ)器操作

測(cè)量條件及測(cè)量數(shù)據(jù)可以保存到內(nèi)存或 USB 存儲(chǔ)器中，也可以進(jìn)行讀取。

● 用于電化學(xué)阻抗特性測(cè)量

配備用于測(cè)量各種電化學(xué)阻抗的功能，例如測(cè)量電池的內(nèi)部阻抗等。

• ● 可以從超低頻10μHz開(kāi)始測(cè)量

• ● 利用電位梯度消除功能，抑制充放電對(duì)電位變化測(cè)量的影響

• ● 利用0° SYNC功能，在相位0°處變更測(cè)量頻率，使測(cè)量前后對(duì)試樣的電荷轉(zhuǎn)移量為零。

• ● 利用測(cè)量同步驅(qū)動(dòng)功能，僅在測(cè)量過(guò)程中輸出信號(hào)，
    從而將施加信號(hào)產(chǎn)生的電池負(fù)擔(dān)減輕到小限度。

• 測(cè)量例

  測(cè)量實(shí)績(jī)數(shù)據(jù) (各類(lèi)電子元件以及電子材料)

  	|	電容器	|	電感器	|	電阻器	|
  	|	壓電元件	|	液體	|	電路	|

  

  

  
  

  電容器

  ●0.1μF 電容 (引腳元件) 電容頻率測(cè)量 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)

  ●0.1μF 電容 (引腳元件) 阻抗頻率測(cè)量 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)

  

  ●4.7μF 電容器 (SMD元件) 電容ESR測(cè)量 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)

  

  
  

  
  

  電感器

  ●10μH 電感器 (SMD元件) 自諧振頻率測(cè)量 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)

  ●RFID傳輸用天線(xiàn)電感器 (PCB裝機(jī)) 共振頻率測(cè)量 高頻測(cè)量模式 (IMPD-2T)

  

  ●220μH 線(xiàn)圈電感器 自諧振頻率測(cè)量 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T)

  

  
  

  
  

  電阻器

  ●50MΩ 電阻器 高阻抗測(cè)量 外部擴(kuò)張測(cè)量模式 (IMPD-EXT) 連接外部寬頻電流放大器 (SA-604F2) 所測(cè)量

  

  
  

  
  

  壓電元件

  ●壓電陶瓷振蕩器

  共振頻率測(cè)量 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T) 利用marker操作，顯示共振點(diǎn)的數(shù)值

  共振頻率測(cè)量 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T) 使用marker操作，顯示共振點(diǎn)·共振點(diǎn)的數(shù)值

  

  
  

  
  

  液體

  ●純凈水

  阻抗頻率測(cè)量 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式 (IMPD-3T) 使用液體測(cè)量治具所測(cè)量

  介電常數(shù)測(cè)量 通過(guò)左邊的阻抗頻率測(cè)試結(jié)果所計(jì)算出的介電常數(shù)數(shù)值 (εs′, εs")

  

  
  

  
  

  電路

  ●CR濾波器 (fc≒10 MHz) 增益/相位測(cè)量 (G-PH) 增益/相位測(cè)量模式 技術(shù)規(guī)格 機(jī)型 ZA56730 頻率范圍 20Hz~36MHz 測(cè)試參數(shù) L（電感）、Q（品質(zhì)因素）、D（消耗因素）、C（電容）、Z（阻抗）、X（電抗）、ACR（交流電阻）、θ（相位角）、Y（導(dǎo)納）、G（電導(dǎo)）、 B（電納）、V、I、εs（介電常數(shù)）、Dε（損耗率）、μs（磁導(dǎo)率）、G-PH（增益/相位） 參數(shù)范圍 Z, R, X：  10μΩ ~ 100GΩ G, Y, B：  0.01mS ~ 999.999GS L：  0.01nH ~  2kH C：  1aF ~999.999GF D：  0.00001 ~ 99999.9 Q： 0.00001 ~ 99999.9 εs、μs：1a ~999.999G Dε、Dμ :0.00001 ~ 99999.9 V：0 ~9.99999 Vrms I：0 ~99.9999 mArms dB：-999.999dB ~ 999.999 dB θ:  -180.000 o ~ +179.999 o  ；0.000 o ~ +360.000 o AC信號(hào)電平 0.01 mVrms ~ 3 Vrms ； 0.1 μArms ~ 60 mArms 輸出阻抗 50Ω 等效電路 六種等效電路模型 直流偏置 內(nèi)置偏壓：-5 V ~ +5 V； -40 V ~ +40 V（1 KHz以上） 內(nèi)置偏流：-100 mA ~ 100 mA 測(cè)量模式 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量（IMPD-3T） 高頻測(cè)量（IMPD-2T） 外部擴(kuò)展測(cè)量（IMPD-EXT） 增益·相位測(cè)量(G-PH) 通信接口 GPIB、LAN、USB、RS-232 擴(kuò)展連接器 AUX連接器 存儲(chǔ) 內(nèi)存32組（每種測(cè)量模式）；外部USB存儲(chǔ)器 溫濕度 溫度0℃~+40℃（操作）、0 ~ 85%RH 輸入電壓 使用電源AC100V ~ 230V ±10% （可自動(dòng)切換），頻率50Hz / 60Hz ± 2Hz 標(biāo)準(zhǔn)配件 操作手冊(cè)、電源線(xiàn)、PA-001-3234標(biāo)準(zhǔn)治具、PA-0013233標(biāo)準(zhǔn)電阻（100Ω） 外形尺寸(mm) 430（W）×177(H)× 350(D)   凈重量 約7Kg 訂貨信息Ordering Information ZA57630  精密阻抗分析儀36MHz 配件選配Options 1011   DIP測(cè)試夾具 1020   薄膜測(cè)試治具≤ 40 MHz 1012   SMD二線(xiàn)式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz 1022   液體測(cè)試治具≤ 40 MHz 1014   SMD四線(xiàn)式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz 1024   SMD二線(xiàn)式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz             1025   二線(xiàn)式接觸式測(cè)試治具 ≤20 MHz 1032   SMD二線(xiàn)式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz         40120 SMD鑷子式測(cè)試治 ≤ 3 MHz 10324   SMD四線(xiàn)式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz 1EV1905A   探針式測(cè)試治具≤ 3 MHz 1EV1505   四線(xiàn)式測(cè)試夾具 ZM2366   三端式測(cè)試夾具≤ 10 MHz ZM232A6 三端式測(cè)試夾具 ≤ 1.2 MHz 40125  SMD鑷子式測(cè)試治具 ≤ 120 MHz ZM2363   DIP四線(xiàn)式測(cè)試夾具≤ 10 MHz PA-0013233 標(biāo)準(zhǔn)電阻（100Ω） ZM2394   SMD二線(xiàn)式測(cè)試夾具≤ 2 MHz PA-001-3234 標(biāo)準(zhǔn)治具 ZM2394H  SMD二線(xiàn)式測(cè)試夾具≤ 30 MHz 1EVA40100   測(cè)試夾（細(xì)齒）≤ 3 MHz 1EVA40180 測(cè)試夾（粗齒）≤ 3 MHz